Hochleistungsdiode der HPTS-Serie

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Hochleistungsdiode der HPTS-Serie
Informationen
HPTS-Serie 1700 V 2200 V 10 A SiC-Hochspannungsdiode, Siliziumkarbid-Schottky-Diode für Hochfrequenz-Leistungsanwendungen
Die SiC-Hochspannungsdioden der HPTS-Serie bieten eine Sperrspannung von 1700 V bis 2200 V und eine Durchlassstromkapazität von 10 A. Sie zeichnen sich durch geringe Schaltverluste, hohe Temperaturstabilität und schnelle Wiederherstellungsleistung aus und eignen sich ideal für industrielle Stromversorgungen, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Laserstromversorgungssysteme und Hochfrequenzanwendungen.
Produktklassifizierung
Hochspannungs-Hochleistungs-Standard-Erholungsdiode
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Beschreibung

Produktübersicht

 

Siliziumkarbid-Hochspannungsdioden der HPTS-Serie

Die SiC-Hochspannungsdiode der HPTS-Serie ist ein Leistungshalbleiterbauelement der nächsten-Generation, das auf der Materialtechnologie Siliziumkarbid (SiC) basiert.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Hochspannungsdioden bieten SiC-Dioden:

* Extrem geringer Schaltverlust
* Hochfrequenzbetriebsfähigkeit
* Hervorragende thermische Stabilität
* Hochspannungsblockierungsleistung
* Verbesserte Systemeffizienz

 

Die HPTS-Serie umfasst:

* Spannungsklasse 1700 V
* Spannungsklasse 2200 V
* 10 A kontinuierlicher Vorwärtsstrom

Entwickelt für anspruchsvolle leistungselektronische Systeme, die einen hohen Wirkungsgrad, ein kompaktes Design und einen zuverlässigen Betrieb erfordern.

 

Hauptmerkmale

1. Hochspannungsfähigkeit

Verfügbare Nennspannungen:

Modell VRRM
HPT1700S 1700V
HPT2200S 2200V

Die Fähigkeit zur Hochspannungsblockierung ermöglicht einen zuverlässigen Betrieb in Hochspannungs-Gleichstromsystemen.


2. Hohe Stromstärke

Durchschnittlicher Vorwärtsstrom:IF(AV)=10A

Geeignet für:
* Hohe Leistungsumwandlung
* Industrielle Stromversorgungen
* Hochfrequenzschaltkreise

3. Geringer Schaltverlust

SiC-Material bietet:
* Schnelle Schaltgeschwindigkeit
* Reduzierter Reverse-Recovery-Verlust
* Höhere Schaltfrequenzfähigkeit
* Geringere Wärmeentwicklung im System


4. Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen
Die SiC-Halbleitertechnologie bietet:
* Hervorragende Wärmeleitfähigkeit
* Stabile elektrische Eigenschaften
* Hochtemperaturbetriebsfähigkeit
Geeignet für raue Industrieumgebungen.

 

5. Niedriger Spannungsabfall in Vorwärtsrichtung

Spitzendurchlassspannung:

Modell

VFM

HPT1700S

3V

HPT2200S

4V

Ein geringerer Leitungsverlust verbessert die Gesamtsystemeffizienz.

 

Elektrische Eigenschaften

 

Spezifikation der SiC-Hochspannungsdioden der HPTS-Serie

Typ

Nennwerte

Temp. Zustand

Elektrische Eigenschaften
[Ta=25Grad, alles sind Maximalwerte]

Dimension

VRRM

WENN(AV)

IFSM

Tj

Tstg

VF

IR1

Trr

(ΦKörper*L, Φführen)

[WENN=WENN(AV]

[VR=VRRM]

KV

A

A

Grad

Grad

V

μA

μS

mm

HPT1700S

1700

10

100

120

-40~120

3

5

--

TO220-2L

HPT2200S

2200

10

100

120

-40~120

4

5

--

TO220-2L

 

Einführung in das Produktmodell

 

 

HPT1700S 1700 V 10 A SiC-Hochspannungsdiode

 

Produktbeschreibung

 

Die SiC-Hochspannungsdiode HPT1700S ist eine 1700-V-10-A-Siliziumkarbid-Leistungsdiode, die für hocheffiziente Stromumwandlungsanwendungen entwickelt wurde.

Hauptvorteile:

* 1700V Sperrspannung
* 10A Dauerstrom
* 100A Überspannungsfestigkeit
* Niedriger Rückwärtsableitstrom

Es ist ideal für:

* Industrielle Stromversorgungen
* Solarwechselrichtersysteme
* Hochfrequenzwandler
* Laser-Netzteile

 

HPT2200S 2200 V 10 A SiC-Hochspannungsdiode

 

Produktbeschreibung

 

Die HPT2200S SiC-Hochspannungsdiode bietet eine höhere Spannung von bis zu 2200 V bei gleichzeitiger Beibehaltung der Stromleistung von 10 A.

Entwickelt für anspruchsvolle Hochspannungsanwendungen, die Folgendes erfordern:

* Höhere Spannungsmarge
* Verbesserte Effizienz
* Reduzierte Schaltverluste
* Lange Lebensdauer

 

Zu den Anwendungen gehören:

* Hochspannungs-Gleichstromsysteme
* Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge
* Industrielle Wechselrichtersysteme
* Impulskraftgeräte

Paketinformationen

 

TO220-2L-Paket

Vorteile:

* Hervorragende thermische Leistung
* Einfache Kühlkörpermontage
* Kompaktes Leistungsdesign
* Geeignet für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte

 

Typische Anwendungen

* Hochspannungs-Gleichstromversorgungen
* Schaltnetzteile
* Industrielle Konverter
* Solarwechselrichter
* Energiespeicherkonverter
* DC-Ladesysteme

 

* Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
* Hochspannungslademodule
* Energieumwandlungssysteme
* Laser-Netzteile
* Stromversorgungssysteme für medizinische Bildgebung
* Hochspannungsimpulsgeneratoren

Warum sollten Sie sich für HPTS SiC-Hochspannungsdioden entscheiden?

 

Vorteil

Beschreibung

SiC-Technologie

Überlegene Hochfrequenzleistung

Hochspannung

Bis 2200V

Hoher Strom

10A Dauerstrom

Überspannungsfähigkeit

100A Impulsstrom

Geringer Verlust

Reduzierte Schaltenergie

Hohe Temperaturstabilität

Zuverlässiger Betrieb

TO220-Paket

Einfaches Wärmemanagement

 

Produktfamilie der HPTS-Serie

 

Modell

Stromspannung

Aktuell

Stoßstrom

Paket

HPT1700S

1700V

10A

100A

TO220-2L

HPT2200S

2200V

10A

100A

TO220-2L

 

Lieferfähigkeit des Herstellers

Wir sind spezialisiert auf:

✔ Herstellung von Siliziumkarbid (SiC)-Dioden
✔ Hochspannungs-Leistungshalbleiterlösungen
✔ OEM-/ODM-Anpassung
✔ Industrielle Stromversorgungskomponentenversorgung
✔ Hochzuverlässige Halbleiterbauelemente

Anpassung möglich:

* Anpassung der Nennspannung
* Anpassung der aktuellen Bewertung
* Paketanpassung
* Optimierung der elektrischen Parameter

 

FAQ

 

F: Was ist eine HPTS SiC-Hochspannungsdiode?

A: HPTS ist eine Siliziumkarbid-Hochspannungsdiodenserie, die für 1700-V- und 2200-V-Leistungsumwandlungsanwendungen mit einer Strombelastbarkeit von 10 A entwickelt wurde.

F: Was sind die Vorteile von SiC-Hochspannungsdioden?

A: SiC-Hochspannungsdioden bieten im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumdioden geringere Schaltverluste, eine schnellere Schaltgeschwindigkeit, eine höhere Temperaturstabilität und einen verbesserten Wirkungsgrad.

F: Wo werden 1700-V- und 2200-V-SiC-Dioden verwendet?

A: Sie werden häufig in Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichtern, industriellen Netzteilen, Lasersystemen und Hochfrequenzwandlern eingesetzt.

 

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