Überblick
Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode für anspruchsvolle Hochspannungs-Leistungsumwandlungsanwendungen. Durch den Einsatz fortschrittlicher SiC-Technologie bietet dieses Gerät eine ultraschnelle Schaltleistung, einen Sperrverzögerungsstrom von praktisch Null, geringe Schaltverluste und eine außergewöhnliche thermische Stabilität, was es zur idealen Wahl für die Leistungselektronik der nächsten Generation macht.
Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Fast-Recovery-Dioden bieten SiC-Schottky-Dioden einen deutlich höheren Wirkungsgrad, eine geringere Wärmeentwicklung, eine verbesserte Zuverlässigkeit und höhere Betriebstemperaturen. Aufgrund dieser Vorteile eignet sich der RTSD10170 für industrielle Wechselrichter, Systeme für erneuerbare Energien, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge und Hochfrequenz-Schaltnetzteile.
Hauptmerkmale
1. Entwickelt für Hochspannungsanwendungen, die eine robuste Spannungsfestigkeit erfordern und einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Industrieumgebungen gewährleisten.
2. Unterstützt eine Dauerstrombelastbarkeit von bis zu 10 A mit hervorragender thermischer Leistung.
3. Null-Rückstrom, wodurch Schaltverluste und elektromagnetische Störungen (EMI) reduziert werden.
4. Die SiC-Schottky-Technologie ermöglicht temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eignet sich daher ideal für Hochfrequenzwandler und Netzteile.
5. Geringer Vorwärtsspannungsabfall, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtsystemeffizienz verbessert.
6. Hochtemperaturfähigkeit
* Maximale Sperrschichttemperatur (Tj): 175 Grad
* Lagertemperaturbereich: -40 Grad bis +175 Grad
Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid ermöglicht einen stabilen Betrieb unter rauen Bedingungen.
7. Niedriger Leckstrom, der auch bei erhöhten Temperaturen einen hohen Wirkungsgrad gewährleistet.
8. Positiver Temperaturkoeffizient, der die Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit des Systems verbessert.
Elektrische Eigenschaften
|
Typ-Nr. |
Wiederkehrende Spitzensperrspannung |
Durchschn. Vorwärtsstrom max |
Maximaler Stoßstrom |
Spitzendurchlassspannungsabfall |
DC-Umkehrung |
Reverse-Recovery-Zeit |
Dimension |
|
|
VRRM |
IF(AV) |
IFSM |
VFM |
IF(AV) |
TA=25Grad |
Trr |
||
|
V |
A |
A |
V |
A |
uA |
nS |
||
|
R2000-R3000 |
2000-3000 |
0.2 |
30 |
3 |
0.2 |
5 |
-- |
DO-41 |
|
R4000-R5000 |
4000-5000 |
0.2 |
30 |
5 |
0.2 |
5 |
-- |
DO-15 |
|
R2500F-R3000F |
2500-3000 |
0.2 |
30 |
5 |
0.2 |
5 |
500 |
DO-41 |
|
R4000-R5000F |
4000-5000 |
0.2 |
30 |
6.5 |
0.2 |
5 |
500 |
DO-15 |
|
RL201-RL207 |
50-1000 |
2 |
70 |
1.1 |
2 |
5 |
-- |
|
|
10A05-10A10 |
50-1000 |
10 |
400 |
1 |
10 |
10 |
-- |
DO-27 |
|
10SQ030-10SQ100 |
30-100 |
10 |
275 |
0.55-0.8 |
10 |
0.1 |
-- |
R-6 |
|
12SQ030-12SQ100 |
30-100 |
12 |
275 |
0.55-0.8 |
12 |
0.1 |
-- |
|
|
15SQ030-15SQ100 |
30-100 |
15 |
275 |
0.55-0.8 |
15 |
0.1 |
-- |
|
|
20SQ030-20SQ100 |
30-100 |
20 |
275 |
0.55-0.8 |
20 |
0.5 |
-- |
|
|
GF3045 |
45 |
30 |
400 |
0.55 |
30 |
0.3 |
-- |
JK09E |
|
GF4045 |
45 |
40 |
400 |
0.5 |
40 |
0.3 |
-- |
|
|
GF5045 |
45 |
50 |
400 |
0.5 |
50 |
0.3 |
-- |
|
|
GF6045 |
45 |
60 |
400 |
0.55 |
60 |
0.3 |
-- |
|
Vorteile der SiC-Schottky-Technologie
Höhere Systemeffizienz
Das Fehlen von Rückgewinnungsverlusten verbessert die Wandlereffizienz erheblich, insbesondere bei Hochfrequenzdesigns.
Reduzierter Kühlbedarf
Geringere Schaltverluste führen zu einer geringeren Wärmeableitung, was kleinere Kühlkörper und geringere Systemkosten ermöglicht.
Höhere Schaltfrequenzen
Unterstützt eine erhöhte Schaltfrequenz, sodass Entwickler die Größe magnetischer Komponenten, Kondensatoren und Filter reduzieren können.
Erhöhte Zuverlässigkeit
SiC-Material mit großer Bandlücke bietet:
* Höhere Durchschlagsfeldstärke
* Bessere Wärmeleitfähigkeit
* Verbesserte Überspannungsfähigkeit
* Längere Betriebslebensdauer
Typische Anwendungen
Solarwechselrichter
Hocheffiziente Gleichrichter- und Freilaufanwendungen in Photovoltaik-Stromumwandlungssystemen.
Ladestationen für Elektrofahrzeuge
Ideal zum schnellen{0}Laden von Leistungsmodulen, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe{1}Spannungsfähigkeit erfordern.
Industrielle Motorantriebe
Bietet zuverlässigen Betrieb in Frequenzumrichtern und Servosystemen.
Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
Hervorragende Boost-Diodenleistung in Hochleistungs-PFC-Schaltungen.
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Verbessert die Umwandlungseffizienz und reduziert die thermische Belastung in USV-Systemen.
Hochfrequenz-Schaltnetzteile
Geeignet für Telekommunikations-, Industrieautomatisierungs- und Server-Stromversorgungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte erfordern.
Die RTSD-Serie bietet mehrere Spannungs- und Stromwerte, um den unterschiedlichen Anwendungsanforderungen gerecht zu werden:
Die Serie deckt Ultra{0}}Hochspannungsanwendungen ab, die von der industriellen Stromumwandlung über erneuerbare Energien bis hin zu Hochspannungsgeräten reichen.
Beliebte label: Sic-Schottky-Barrierediode, China Sic-Schottky-Barrierediode Hersteller, Lieferanten, SiC-Schottky-Barrierediode
