Überblick

1700-V- und 2200-V-SiC-Schottky-Dioden sind Hochspannungs-Gleichrichter, die für die Leistungsumwandlung mit hoher Frequenz und hohem Wirkungsgrad ausgelegt sind. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Schnellerholungsdioden bietet die SiC-Technologie ein extrem niedriges Sperrerholungsverhalten, reduzierte Schaltverluste und eine hervorragende Hochtemperaturstabilität. Die Serie eignet sich für Hochspannungsnetzteile, Lasernetzteile, Röntgensysteme, Kondensatoraufladung, elektrostatische Geräte und industrielle Hochfrequenz-Leistungselektronik.

Produktpalette

Produktserie	Maximale repetitive Sperrspannung	Aktuelle Klasse	Technologie	Hauptvorteil
1700 V SiC	1700V	Bis zu 10A	SiC Schottky	Ultra-schnelles Umschalten
2200 V SiC	2200V	Bis zu 10A	SiC Schottky	Hoch-Spannungsbetrieb

Hauptmerkmale

* 1700 V und 2200 V Hochspannung

* Siliziumkarbid-Schottky-Dioden-Technologie

* Praktisch kein herkömmlicher Rückgewinnungsstrom

* Sehr geringe Schaltverluste

* Hochfrequenz-Schaltfähigkeit

* Niedrige Reverse-Recovery-Gebühr

* Hervorragende Leistung bei hohen Temperaturen

* Hohe Leistungsdichte

* Reduzierte Schaltbelastung von Leistungsgeräten

* Geeignet für kompakte Hochfrequenz-Netzteile

* TO-220 und kundenspezifische Gehäuseoptionen je nach Produktdesign verfügbar

Warum SiC anstelle herkömmlicher Silizium-Fast-Recovery-Dioden wählen?

Herkömmliche Silizium-Schnellerholungsdioden verwenden einen PN-Übergang und erfordern, dass die gespeicherte Ladung beim Ausschalten entfernt wird. Die SiC-Schottky-Technologie eliminiert den herkömmlichen Minoritätsträgerspeichermechanismus, der mit der Wiederherstellung von Silizium-PN-Übergängen verbunden ist, wodurch sie sich besonders für Schaltanwendungen mit hoher Frequenz eignet.

SiC vs. Silizium-Fast-Recovery-Diode

Besonderheit	Silizium-Fast-Recovery-Diode	SiC-Schottky-Diode
Halbleitermaterial	Silizium	Siliziumkarbid
Kreuzungstyp	PN-Kreuzung	Schottky
Umgekehrte Wiederherstellung	Zehn Nanosekunden	Extrem niedrig / praktisch keine herkömmliche Wiederherstellung
Schaltverlust	Höher	Untere
Hochfrequenzbetrieb.-	Gut	Exzellent
Reverse-Recovery-Gebühr	Höher	Sehr niedrig
Hohe-Temperaturstabilität	Gut	Exzellent
Leistungsdichte	Mäßig	Hoch
Hochfrequenz-Netzteil	Geeignet	Sehr empfehlenswert
Effizienzoptimierung	Begrenzt durch Wiederherstellungsverluste	Ausgezeichnetes Potenzial
Systemgröße	Konventionell	Kann kompaktere Designs unterstützen

Technische Spezifikation

Parameter	1700V-Serie	2200V-Serie
Halbleiter	SiC	SiC
Gerätetyp	Schottky-Diode	Schottky-Diode
VRRM	1700V	2200V
Aktuelle Klasse bei 160 Grad	Bis zu 10A*	Bis zu 10A*
Stoßstrom	54A	54A
Durchlassspannung	1.4V	2.0V
Leckstrom	5uA	5uA
Sperrschichttemperatur-	-55~175Grad	-55~175Grad
Lagertemperatur	-55~175Grad	-55~175Grad
Paket	TO-220-2L	TO-220-2L
Umgekehrte Wiederherstellung	Extrem niedrig	Extrem niedrig
Schaltfrequenz	Hochfrequenzfähig	Hochfrequenzfähig
Betriebstemperatur	Anwendungsabhängig	Anwendungsabhängig

1700 V SiC-Diode

1700-V-SiC-Schottky-Diode für Hochfrequenz-Stromversorgungen
Die 1700-V-SiC-Schottky-Diode ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Sperrspannung, schnelles Schalten und geringe Schaltverluste erfordern.
Mit einer Nennspannung von 1700 V kann es für die Aufrüstung von Silizium-Schnellwiederherstellungsgleichrichtern der 1600 V--Klasse in Betracht gezogen werden, wenn die Spannungsspanne, die thermischen Bedingungen und die elektrischen Eigenschaften des Schaltkreises ordnungsgemäß überprüft werden.

Empfohlene Anwendungen

* Hochfrequenz-Schaltnetzteile
* Hochspannungs-Gleichstromversorgungen
* PFC-Schaltungen
* LLC-Resonanzwandler
* Hochfrequenz-DC--DC-Wandler
* Laser-Netzteile
* Industrielle Stromversorgungen
* Röntgen- und medizinische Stromversorgungen
* Hochspannungs-Kondensatorladesysteme
* Impulsstromsysteme
* HF- und Hochfrequenzgeräte
* Elektrostatische Netzteile

2200 V SiC-Diode

2200-V-SiC-Schottky-Diode für Hochspannungs-Leistungsumwandlung
Die 2200-V-SiC-Schottky-Diode wurde für Hochspannungsanwendungen entwickelt, die eine höhere Sperrspannung erfordern als herkömmliche Geräte der 1700-V-Klasse.
Es eignet sich für die Hochspannungsgleichrichtung und die Hochfrequenz-Leistungsumwandlung, bei denen reduzierte Schaltverluste und ein Hochtemperaturbetrieb wichtig sind.

Empfohlene Anwendungen
* Hochspannungsnetzteile der Klasse 2 kV-
* Industrielle Hochspannungsgleichrichter
* Hochfrequenz-Leistungswandler
* Laser-Netzteile
* Röntgen-Hochspannungsgeneratoren
* Medizinische Hochspannungsgeräte
* Elektrofilter
* Elektrostatische Sprühausrüstung
* Hoch-Laden des Kondensators
* Impulskraftgeräte
* Hochfrequente Industrieausrüstung

Überlegungen zum Ersatz

Kann eine SiC-Diode eine Silizium-Fast-Recovery-Diode ersetzen?
In vielen Anwendungen kann eine SiC-Schottky-Diode als Upgrade oder Ersatz für eine Silizium-Fast-Recovery-Diode verwendet werden, sie sollte jedoch nicht als universeller Pin{0}}zu--Ersatz betrachtet werden.

Vor dem Austausch der ursprünglichen Siliziumdiode sollten Ingenieure Folgendes überprüfen:

1. Sperrspannungsnennwert
2. Durchschnittlicher Vorwärtsstrom
3. Spitzen- und Stoßstrom
4. Vorwärtsspannungsabfall
5. Sperrschichtkapazität
6. Wärmewiderstand
7. Schaltfrequenz
8. Paket- und Pin-Konfiguration
9. Kriech- und Luftstrecken auf der Leiterplatte
10. Systemspannungstransienten und Sicherheitsmarge

Vorteile für Hochfrequenzanwendungen

Geringerer Schaltverlust

Das sehr geringe Sperrerholungsverhalten von SiC-Schottky-Dioden trägt dazu bei, Abschaltverluste im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-PN-Gleichrichtern mit schneller Erholung zu reduzieren.

Höhere Schaltfrequenz

Durch geringere Schaltverluste können Entwickler die Schaltfrequenz erhöhen und gleichzeitig die thermische Leistung beibehalten.

Höhere Leistungsdichte

Höhere Schaltfrequenzen können dazu beitragen, die Größe magnetischer Komponenten, Filter und anderer passiver Komponenten zu reduzieren und so kompaktere Energieumwandlungssysteme zu ermöglichen.

Verbesserte thermische Leistung

Geringere Schaltverluste können die Wärmeerzeugung in Hochfrequenz-Leistungsumwandlungsstufen reduzieren und eine größere Flexibilität für das thermische Design bieten.

Betrieb bei hohen-Temperaturen

SiC ist von Natur aus für anspruchsvolle Hochtemperatur-Leistungselektronikanwendungen geeignet und bietet eine hervorragende thermische Stabilität.

Typische Anwendungen

01/

Hochfrequenz-Netzteile.-

SiC-Gleichrichter eignen sich für Hochfrequenz-Leistungsumwandlungssysteme, bei denen die Wiederherstellungsverluste herkömmlicher Siliziumdioden erheblich sind.

02/

Laser-Netzteile

Aufgrund der hohen -Spannungssperrfähigkeit und der schnellen Schalteigenschaften eignen sich SiC-Dioden für kompakte Laserstromversorgungsarchitekturen.

03/

Röntgen--Strahlen- und medizinische Hochspannungssysteme

Die 1700-V- und 2200-V-Serien können für Hochspannungsgleichrichter- und Kondensatorladestufen in medizinischen und industriellen Röntgengeräten evaluiert werden.

04/

Elektrostatische Ausrüstung

Zu den Anwendungen gehören Elektrofilter, elektrostatische Sprühsysteme und andere Hochspannungs-Gleichstromversorgungen.

05/

Industrielle Hochspannungs--Stromversorgungen

Die SiC-Technologie kann die Effizienz und Schaltleistung in industriellen Hochspannungsumwandlungssystemen verbessern.

Kundenspezifische SiC-Diodenlösungen

Wir unterstützen maßgeschneiderte Hochspannungs-SiC-Diodenlösungen für OEM- und Industrieanwendungen.
Die Anpassung kann besprochen werden nach:
* Nennspannung
* Aktuelle Bewertung
* Anforderungen an die Vorwärtsspannung
* Schalteigenschaften
* Pakettyp
* Lead-Konfiguration
* Thermische Anforderungen
* Elektrische Prüfanforderungen
* Anwendungsspezifische-Leistungsziele

Für Hochspannungs-OEM-Projekte können Kunden die Schaltkreisspannung, den Betriebsstrom, die Schaltfrequenz, die Betriebstemperatur und das vorhandene Diodenmodell angeben. Unser Ingenieurteam kann eine geeignete 1700-V- oder 2200-V-SiC-Lösung empfehlen.

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